გალიუმის ზეთხელი ოქსიდური ფირების მიღების ტექნოლოგიის დამუშავება

ავტორი: ოთარ დოლიძე
საკვანძო სიტყვები: გალიუმის ოქსიდი, მაგნეტრონული გაფრქვევა, ველის ტრანზისტორი.
ანოტაცია:

ფუნქციონალური კომუნიკაციების სისტემებში შემავალი კომპონენტების მუშაობის ხარისხის ამაღლება მოითხოვს შესაბამისად, მასში შემავალი მასალების ხარისხის გაუმჯობესებას ან ახალი უკეთეს პარამეტრებიანი მასალების შექმნას. ამ მხრივ, ფუნდამეტალური და გამოყენებითი სამეცნიერო მხარე ელოდება ნანოტექნოლოგიაში - გალიუმის ოქსიდის (Ga2O3) შემოსვლას, როგორც ახალი თაობის, პერსპექტიული ნახევარგამტარული მასალა. წინამდებარე სადიპლომო ნაშრომში განხილულია გალიუმის ოქსიდის ფორმირების დაბალტემპერატურული, მაგნეტრონული გაფრქვევის ტექნოლოგიური პროცესი, გამოკვლეულია მისი ოქსიდური ფირის ელექტრო–ფიზიკური და დიელექტრიკული პარამეტრები. დასმულია მიზანი და გაკეთებულია ცალკეული ტექნოლოგიური პროცესების შინაარსობრივი განხილვა. შექმნილია ტექნოლოგიური მარშრუტი მისი ველის ტრანზისტორში ჩამკეტქვეშა დიელექტრიკად გამოყენების მიზნით. შემუშავებულია ფირის მიღების ოპტიმალური პარამეტრები. ნაჩვენებია, რომ აღნიშნული ტექნოლოგიით მიღებული ოქსიდური ფირები შეიძლება გამოყენებულ იქნან მიკრო და ნანოხელსაწყოების წარმოებაში.